7月5日至10日，应中國科學院特殊环境功能材料与器件重點實驗室邀请，印度安那大学、SSN工程学院教授（SSN College of Engineering, Anna University, India）P. Ramasamy到中國科學院新疆理化技术研究所进行学术交流。   

    访问期间，分別作了題爲Unidirectional Growth of Crystals From Solution、Nucleation Kinetics and Crystal Growth Aspects、Crystal growth from Melt的學術報告。報告中，Ramasamy詳細介紹了“Sankaranarayanan -Ramasamy（SR）”溶液法定向生長大尺寸光學晶體的研究成果和進展，並通過與傳統溶液法生長技術的對比，展示了SR方法在晶體尺寸大、質量好、可定向生長、簡便、快速等方面的優勢。新疆理化所40余名科研人員和研究生聽取了報告，並與Ramasamy就相關問題進行了熱烈的學術討論。  

　　爲推進實施國家“一帶一路”戰略，加強新疆理化所與Ramasamy教授及印度安那大學（SSN 工程學院）的合作交流，雙方簽署了創建“中-印晶體生長聯合實驗室”框架協議。聯合實驗室成立後，雙方將在學術互訪、聯合科研攻關、交換培養研究生等方面進行進深入的合作。會後，Ramasamy被聘爲新疆理化所客座研究員，新疆理化所副所長潘世烈爲其頒發了聘書。 

    印度SSN工程學院由印度著名實業家Sri Sivasubramaniya Nadar于1996年建立，位于印度金奈。最初隸屬于印度安娜大學，1998年獨立建院，是印度一所知名的工程技術研究單位。 

    P. Ramasamy，印度安娜大學教授，創辦了印度安娜大學晶體生長中心並任主任，印度SSN工程學院晶體生長中心主任。他長期從事人工晶體的生長技術研究，在國際上享有很高的知名度，已發表700余篇學術論文、撰寫7部專著，培養博士研究生92名，被譽爲“印度晶體生長之父”。以他和他的弟子的名字命名的晶體生長方法“Sankaranarayanan -Ramasamy”method已在多個國家的科研機構獲得應用。 

Ramasamy教授作報告